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IXFC 22N60P
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
ISOPLUS220 TM (IXFC) Outline
g fs
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
V DS = 20 V; I D = I T , Note 1
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = I T
13
20
4000
320
22
20
20
S
pF
pF
pF
ns
ns
t d(off)
t f
Q g(on)
Q gs
Q gd
R G = 4 ? (External)
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = I T
60
23
58
23
20
ns
ns
nC
nC
nC
Note:
Bottom heatsink (Pin 4) is
electrically isolated from Pin
1,2, or 3.
R thJC
0.95 ° C/W
R thCS
0.21
° C/W
Source-Drain Diode
Characteristic Values
Symbol
Test Conditions
(T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
I S
I SM
V SD
t rr
Q RM
V GS = 0 V
Repetitive
I F = I S , V GS = 0 V,
I F = 25A, -di/dt = 100 A/ μ s
V R = 100 V, V GS = 0 V
1.0
12
66
1.5
200
A
A
V
ns
μ C
Ref: IXYS CO 0177 R0
Notes:
1. Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %;
2. Test current I T = 11A.
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by 4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065 B1
6,683,344
6,727,585
one or moreof the following U.S. patents:
4,850,072
4,881,106
5,017,508
5,034,796
5,063,307
5,187,117
5,381,025
5,486,715
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,534,343
6,583,505
6,710,405B2
6,710,463
6,759,692
6,771,478 B2
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IXFC52N30P_08 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:PolarHT Power MOSFET HiPerFET